Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4936ADY-T1-E3
SI4936ADY-T1-E3

SI4936ADY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4936ad.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+58.13 грн
5000+ 53.87 грн
12500+ 52.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4936ADY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI4936ADY-T1-E3 за ціною від 46.73 грн до 129.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4936ADY-T1-E3 SI4936ADY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4936ad.pdf MOSFET 30V 5.9A 2W
на замовлення 15896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.04 грн
10+ 89.83 грн
100+ 62.02 грн
250+ 57.21 грн
500+ 51.94 грн
1000+ 46.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4936ADY-T1-E3 SI4936ADY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4936ad.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 15312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.27 грн
10+ 103.13 грн
100+ 82.07 грн
500+ 65.17 грн
1000+ 55.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4936ADY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4936ad.pdf
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4936ADYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4936ADY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4936ad.pdf 06PB
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4936ADY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4936ad.pdf 09+
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4936ADY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4936ad.pdf SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4936ADY-T1-E3 SI4936ADY-T1-E3 Виробник : Vishay si4936ad.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній