SI4946BEY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 40.65 грн |
| 5000+ | 37.28 грн |
| 12500+ | 35.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4946BEY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції SI4946BEY-T1-E3 за ціною від 32.87 грн до 119.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4946BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4946BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4946BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4946BEY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.4A On-state resistance: 52mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 3.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4946BEY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 54842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4946BEY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.4A On-state resistance: 52mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 3.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3731 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4946BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 19444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4946BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V 6.5A 3.7W |
на замовлення 45888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4946BEY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 54842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4946BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| SI4946BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductor |
2N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 6,5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 840 @ 30; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 41 мОм @ 5,3 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,7; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 16 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI4946BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Транз. Пол. SOIC8 MOSFET 2N-Channels, Vdss=60V, 6.5A, Rdson=41mOhm, Pd=3.7W |
на замовлення 86 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI4946BEY-T1-E3 | Виробник : Siliconix |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7W; -55°C ~ 175°C; SI4946BEY TSI4946bey кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI4946BEYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SI4946BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SI4946BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SI4946BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
SI4946BEY-T1-E3 Код товару: 196051 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|