Продукція > VISHAY > SI4948BEY-T1-GE3

SI4948BEY-T1-GE3 Vishay

Name: SI4948BEY-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 617705-7
Price: 20.34 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	20.34 грн

Мінімальне замовлення: 2500

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI4948BEY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI4948BEY-T1-GE3 за ціною від 25.24 грн до 92.89 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI4948BEY-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	35.23 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4948BEY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	36.9 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4948BEY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	40.16 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4948BEY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	47.42 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4948BEY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
226+	51.7 грн
228+	51.39 грн
254+	46.12 грн
260+	43.45 грн
500+	38.07 грн
1000+	32.5 грн

Мінімальне замовлення: 226

SI4948BEY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
11+	52.64 грн
13+	48.01 грн
25+	47.72 грн
100+	41.3 грн
250+	37.36 грн
500+	33.94 грн
1000+	30.18 грн

Мінімальне замовлення: 11

SI4948BEY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.4A; Idm: -25A; 0.95W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Case: SO8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.95W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1210 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
8+	53.62 грн
10+	35.34 грн
25+	30.64 грн
31+	26.65 грн
84+	25.24 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4948BEY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 1210 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	64.34 грн
6+	44.04 грн
25+	36.77 грн
31+	31.98 грн
84+	30.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4948BEY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0002473619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 4952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	64.64 грн
500+	52.24 грн
1000+	40.97 грн
2500+	34.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4948BEY-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	85.2 грн
10+	67.11 грн
100+	52.19 грн
500+	41.51 грн
1000+	33.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4948BEY-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 23141 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	87.18 грн
10+	70.37 грн
100+	48.27 грн
500+	41.47 грн
1000+	34.2 грн
2500+	30.9 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4948BEY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 4802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
9+	92.89 грн
11+	72.57 грн
100+	53.69 грн
500+	43.27 грн
1000+	35.79 грн

Мінімальне замовлення: 9

SI4948BEY-T1-GE3
Код товару: 196052

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товар відсутній