SI7192DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 220.09 грн |
| 10+ | 182.57 грн |
| 25+ | 149.46 грн |
| 100+ | 128.2 грн |
| 250+ | 120.89 грн |
| 500+ | 114.25 грн |
| 1000+ | 97.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7192DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 100A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 104W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.25mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 135nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7192DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7192DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
 MOSFET 30V 60A 104W 1.9mohm @ 10V |
на замовлення 2952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SI7192DP-T1-GE3 |
|
на замовлення 34500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| SI7192DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 135nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
 |
SI7192DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
товар відсутній |
|
|
|
SI7192DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
товар відсутній |
|
| SI7192DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 135nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |