SI7326DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 59.72 грн |
| 10+ | 50.11 грн |
| 100+ | 34.7 грн |
| 500+ | 27.21 грн |
| 1000+ | 23.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7326DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V.
Інші пропозиції SI7326DN-T1-GE3 за ціною від 20.01 грн до 65.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7326DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V 10A 3.5W 19.5mohm @ 10V |
на замовлення 2780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI7326DN-T1-GE3 |
|
на замовлення 1878 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
SI7326DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI7326DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 3.5W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SI7326DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI7326DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 3.5W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |