Технічний опис SIDC04D60F6X1SA3 Infineon Technologies
Description: DIODE GP 600V 9A WAFER, Packaging: Bulk, Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 9A, Supplier Device Package: Sawn on foil, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V.
Інші пропозиції SIDC04D60F6X1SA3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SIDC04D60F6X1SA3 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE GP 600V 9A WAFERPackaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V |
товар відсутній |
||
| SIDC04D60F6X1SA3 | Виробник : Infineon Technologies |
Diodes - General Purpose, Power, Switching |
товар відсутній |