SIDR104AEP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 90.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 94.13 грн |
| 6000+ | 86.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIDR104AEP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIDR104AEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90.5 A, 0.0049 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, Dauer-Drainstrom Id: 90.5, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 120, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції SIDR104AEP-T1-RE3 за ціною від 90.34 грн до 326.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIDR104AEP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 90.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V |
на замовлення 8738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIDR104AEP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOS |
на замовлення 2956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIDR104AEP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR104AEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90.5 A, 0.0049 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 90.5 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 120 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 120 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIDR104AEP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR104AEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90.5 A, 0.0049 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 90.5 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 120 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 120 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SIDR104AEP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 90.5A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 90.5A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 120W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIDR104AEP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 90.5A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 90.5A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 120W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |