Продукція > VISHAY SILICONIX > SIDR390DP-T1-GE3
SIDR390DP-T1-GE3

SIDR390DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sidr390dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIDR390DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIDR390DP-T1-GE3 за ціною від 65.72 грн до 157.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIDR390DP-T1-GE3 SIDR390DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sidr390dp.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.94 грн
10+ 116.22 грн
100+ 85.21 грн
250+ 83.22 грн
500+ 75.3 грн
1000+ 67.37 грн
3000+ 65.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIDR390DP-T1-GE3 SIDR390DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sidr390dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.9 грн
10+ 126.32 грн
100+ 100.51 грн
500+ 79.82 грн
1000+ 67.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR390DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sidr390dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
SIDR390DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sidr390dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній