Продукція > VISHAY SILICONIX > SIDR402DP-T1-RE3
SIDR402DP-T1-RE3

SIDR402DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sidr402dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+68.67 грн
6000+ 63.64 грн
9000+ 61.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIDR402DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SIDR402DP-T1-RE3 за ціною від 65.32 грн до 152 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIDR402DP-T1-RE3 SIDR402DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sidr402dp.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
на замовлення 14272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+152 грн
10+ 121.81 грн
100+ 96.96 грн
500+ 76.99 грн
1000+ 65.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR402DP-T1-RE3 Виробник : Vishay sidr402dp.pdf N-Channel MOSFET
товар відсутній
SIDR402DP-T1-RE3 Виробник : Vishay sidr402dp.pdf MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товар відсутній