SIDR626DP-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIDR626DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 125
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 17239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 160.05 грн |
| 500+ | 121.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIDR626DP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIDR626DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIDR626DP-T1-GE3 за ціною від 73.67 грн до 214.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIDR626DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC |
на замовлення 24916 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIDR626DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR626DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIDR626DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 42.8A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIDR626DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 80W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 102nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
.jpg "SIDR626DP-T1-GE3") |
SIDR626DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SIDR626DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIDR626DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 80W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 102nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |