Продукція > VISHAY SILICONIX > SIDR668ADP-T1-RE3
SIDR668ADP-T1-RE3

SIDR668ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sidr668adp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.3A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+70.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIDR668ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.3A (Ta), 104A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIDR668ADP-T1-RE3 за ціною від 67.48 грн до 192.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIDR668ADP-T1-RE3 SIDR668ADP-T1-RE3 Виробник : VISHAY 2893303.pdf Description: VISHAY - SIDR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 104 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO-DC, Durchsteckmontage
Verlustleistung: 125
Transistormontage: Durchsteckmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+139.3 грн
500+ 108.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIDR668ADP-T1-RE3 SIDR668ADP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sidr668adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.3A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 50 V
на замовлення 7381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.19 грн
10+ 125.84 грн
100+ 100.15 грн
500+ 79.53 грн
1000+ 67.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR668ADP-T1-RE3 SIDR668ADP-T1-RE3 Виробник : Vishay Semiconductors sidr668adp.pdf MOSFET N-CHANNEL 100-V(D-S) PowerPAK SO-8
на замовлення 33232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.3 грн
10+ 140.52 грн
100+ 97.1 грн
250+ 89.83 грн
500+ 81.9 грн
1000+ 70.01 грн
3000+ 68.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR668ADP-T1-RE3 SIDR668ADP-T1-RE3 Виробник : VISHAY 2893303.pdf Description: VISHAY - SIDR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 104 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO-DC, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 104
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+192.65 грн
10+ 173.38 грн
100+ 139.3 грн
500+ 108.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIDR668ADP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sidr668adp.pdf SIDR668ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній