Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHA11N80AE-GE3
SIHA11N80AE-GE3

SIHA11N80AE-GE3 Vishay Siliconix

siha11n80ae.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.55 грн
50+ 99.46 грн
100+ 81.83 грн
500+ 64.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHA11N80AE-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHA11N80AE-GE3 за ціною від 56.15 грн до 139.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHA11N80AE-GE3 SIHA11N80AE-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix siha11n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220FP
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.42 грн
10+ 114.4 грн
100+ 78.78 грн
250+ 72.77 грн
500+ 65.83 грн
1000+ 56.75 грн
2500+ 56.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA11N80AE-GE3 Виробник : Vishay siha11n80ae.pdf Power MOSFET
товар відсутній
SIHA11N80AE-GE3 Виробник : VISHAY siha11n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHA11N80AE-GE3 Виробник : VISHAY siha11n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній