Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHB150N60E-GE3
SIHB150N60E-GE3

SIHB150N60E-GE3 Vishay Siliconix

sihb150n60e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+247.18 грн
10+ 199.62 грн
100+ 161.48 грн
500+ 134.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHB150N60E-GE3 Vishay Siliconix

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHB150N60E-GE3 за ціною від 116.25 грн до 264.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHB150N60E-GE3 SIHB150N60E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihb150n60e.pdf MOSFET E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+264.26 грн
10+ 219.24 грн
25+ 180.01 грн
100+ 154.77 грн
250+ 145.47 грн
500+ 137.5 грн
1000+ 116.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB150N60E-GE3 SIHB150N60E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihb150n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
товар відсутній