Продукція > VISHAY > SIHF080N60E-GE3
SIHF080N60E-GE3

SIHF080N60E-GE3 Vishay

sihf080n60e.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+171.89 грн
10+ 163.71 грн
25+ 161.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHF080N60E-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHF080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.07 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.

Інші пропозиції SIHF080N60E-GE3 за ціною від 132.41 грн до 307.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHF080N60E-GE3 SIHF080N60E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihf080n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+283.09 грн
50+ 216.26 грн
100+ 185.37 грн
500+ 154.64 грн
1000+ 132.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHF080N60E-GE3 SIHF080N60E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihf080n60e.pdf MOSFET TO-220 FULLPAK
на замовлення 3732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+285.07 грн
10+ 257.2 грн
25+ 216.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHF080N60E-GE3 SIHF080N60E-GE3 Виробник : VISHAY 3194654.pdf Description: VISHAY - SIHF080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.07 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+307.81 грн
10+ 242.65 грн
100+ 238.16 грн
500+ 216.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHF080N60E-GE3 SIHF080N60E-GE3 Виробник : Vishay sihf080n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIHF080N60E-GE3 SIHF080N60E-GE3 Виробник : Vishay sihf080n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube
товар відсутній