SIHF12N60E-E3 Vishay / Siliconix
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 200.95 грн |
10+ | 164.3 грн |
100+ | 113.49 грн |
1000+ | 79.45 грн |
2000+ | 75.44 грн |
5000+ | 73.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHF12N60E-E3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHF12N60E-E3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SIHF12N60E-E3 Код товару: 171580 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
SIHF12N60E-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
||
SIHF12N60E-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
||
SIHF12N60E-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
||
SIHF12N60E-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V |
товар відсутній |