SIHF9530S-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 88W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -48A
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 88W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -48A
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 52.42 грн |
9+ | 40.89 грн |
25+ | 36.09 грн |
26+ | 31.29 грн |
72+ | 29.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHF9530S-GE3 VISHAY
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W, Mounting: SMD, Case: D2PAK; TO263, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 0.3Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 88W, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 38nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: -48A, Drain-source voltage: -100V, Drain current: -8.2A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SIHF9530S-GE3 за ціною від 35.05 грн до 62.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIHF9530S-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 88W Kind of package: reel; tape Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -48A Drain-source voltage: -100V Drain current: -8.2A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 965 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SIHF9530S-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |