Технічний опис SIHFBE30L-GE3 Vishay
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 2.6A, Pulsed drain current: 16A, Power dissipation: 125W, Case: I2PAK; TO262, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3Ω, Mounting: THT, Gate charge: 78nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SIHFBE30L-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHFBE30L-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 125W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
SIHFBE30L-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET |
товар відсутній |
|
| SIHFBE30L-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 125W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |