на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 53.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHFPS40N60K-GE3 Vishay
Description: POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @, Packaging: Tube, Package / Case: TO-274AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 570W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SIHFPS40N60K-GE3 за ціною від 232.49 грн до 525.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIHFPS40N60K-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @ Packaging: Tube Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 570W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHFPS40N60K-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHFPS40N60K-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHFPS40N60K-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.11 ohm, Super-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 570W Bauform - Transistor: Super-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHFPS40N60K-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 40A |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
SIHFPS40N60K-GE3 | Виробник : Vishay | MOSFET N-CHANNEL 600V |
товар відсутній |