Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHG039N60EF-GE3
SIHG039N60EF-GE3

SIHG039N60EF-GE3 Vishay Siliconix

sihg039n60ef.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 61A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4323 pF @ 100 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+836.87 грн
10+ 690.78 грн
100+ 575.66 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG039N60EF-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 61A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 357W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4323 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHG039N60EF-GE3 за ціною від 435.47 грн до 906.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHG039N60EF-GE3 SIHG039N60EF-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihg039n60ef.pdf MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+896.13 грн
10+ 757.94 грн
25+ 646.65 грн
100+ 545.89 грн
250+ 529.33 грн
500+ 494.13 грн
1000+ 435.47 грн
SIHG039N60EF-GE3 SIHG039N60EF-GE3 Виробник : VISHAY sihg039n60ef.pdf Description: VISHAY - SIHG039N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.036 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+906.57 грн
5+ 819.86 грн
10+ 732.38 грн
SIHG039N60EF-GE3 SIHG039N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihg039n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній