SIHG080N60E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 324.26 грн |
| 25+ | 247.6 грн |
| 100+ | 212.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG080N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHG080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.07 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHG080N60E-GE3 за ціною від 159.67 грн до 347.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG080N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.07 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHG080N60E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CHANNEL 600V |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIHG080N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 35A Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SIHG080N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 96A; 227W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 227W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIHG080N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 96A; 227W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 227W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |