SIHG17N80AE-GE3

SIHG17N80AE-GE3 Vishay Siliconix


sihg17n80ae.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 1956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+202.93 грн
25+ 154.89 грн
100+ 132.77 грн
500+ 110.75 грн
1000+ 94.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG17N80AE-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHG17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 179W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIHG17N80AE-GE3 за ціною від 93.47 грн до 243.4 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHG17N80AE-GE3 SIHG17N80AE-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihg17n80ae.pdf MOSFET 800V N-CHANNEL
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+217.31 грн
10+ 180.42 грн
25+ 156.22 грн
100+ 126.85 грн
500+ 112.83 грн
1000+ 93.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG17N80AE-GE3 SIHG17N80AE-GE3 Виробник : VISHAY 3164667.pdf Description: VISHAY - SIHG17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 179W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+243.4 грн
10+ 195.47 грн
25+ 177.5 грн
100+ 148.13 грн
500+ 116.19 грн
1000+ 113.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHG17N80AE-GE3 Виробник : Vishay sihg17n80ae.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
SIHG17N80AE-GE3 Виробник : VISHAY sihg17n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHG17N80AE-GE3 Виробник : VISHAY sihg17n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній