SIHG47N60AEF-GE3

SIHG47N60AEF-GE3 Vishay Siliconix


sihg47n60aef.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3576 pF @ 100 V
на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+559.72 грн
25+ 430.22 грн
100+ 384.94 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG47N60AEF-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHG47N60AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.061 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 313W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIHG47N60AEF-GE3 за ціною від 303 грн до 658.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHG47N60AEF-GE3 SIHG47N60AEF-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihg47n60aef.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+607.56 грн
10+ 513.87 грн
25+ 404.89 грн
100+ 370.26 грн
250+ 350.28 грн
500+ 322.98 грн
1000+ 303 грн
SIHG47N60AEF-GE3 SIHG47N60AEF-GE3 Виробник : VISHAY 2687508.pdf Description: VISHAY - SIHG47N60AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.061 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 313W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+658.14 грн
10+ 547.58 грн
25+ 502.01 грн
100+ 423.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG47N60AEF-GE3 SIHG47N60AEF-GE3 Виробник : Vishay sihg47n60aef.pdf EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode
товар відсутній
SIHG47N60AEF-GE3 Виробник : VISHAY sihg47n60aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 111A; 313W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 111A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 189nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHG47N60AEF-GE3 Виробник : VISHAY sihg47n60aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 111A; 313W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 111A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 189nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній