SIHG80N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 100 V
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1016.1 грн |
| 25+ | 792.32 грн |
| 100+ | 745.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG80N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHG80N60EF-GE3 за ціною від 624.89 грн до 1087.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG80N60EF-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHG80N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIHG80N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 51A Pulsed drain current: 254A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 400nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIHG80N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 51A Pulsed drain current: 254A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 400nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |