Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHH26N60E-T1-GE3
SIHH26N60E-T1-GE3

SIHH26N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix


sihh26n60e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 25A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 100 V
на замовлення 5801 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+365.42 грн
10+ 294.93 грн
100+ 238.64 грн
500+ 199.08 грн
1000+ 170.46 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHH26N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 25A PPAK 8 X 8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 202W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHH26N60E-T1-GE3 за ціною від 172.91 грн до 391 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHH26N60E-T1-GE3 SIHH26N60E-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihh26n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+391 грн
10+ 323.22 грн
25+ 265.71 грн
100+ 227.66 грн
250+ 215.64 грн
500+ 202.29 грн
1000+ 172.91 грн
SIHH26N60E-T1-GE3 SIHH26N60E-T1-GE3 Виробник : Vishay sihh26n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 4-Pin PowerPAK EP T/R
товар відсутній
SIHH26N60E-T1-GE3 Виробник : VISHAY sihh26n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 50A; 202W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 202W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHH26N60E-T1-GE3 SIHH26N60E-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihh26n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 100 V
товар відсутній
SIHH26N60E-T1-GE3 Виробник : VISHAY sihh26n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 50A; 202W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 202W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній