SIHP12N50C-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 300.8 грн |
| 10+ | 243.22 грн |
| 100+ | 196.75 грн |
| 500+ | 164.13 грн |
| 1000+ | 140.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP12N50C-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SIHP12N50C-E3 за ціною від 142.67 грн до 322.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP12N50C-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-Channel 500V |
на замовлення 2211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHP12N50C-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |