Продукція > VISHAY > SIHP17N80AE-GE3
SIHP17N80AE-GE3

SIHP17N80AE-GE3 VISHAY

3164668.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+170.01 грн
10+ 125.07 грн
100+ 97.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP17N80AE-GE3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP17N80AE-GE3 за ціною від 77.44 грн до 196.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHP17N80AE-GE3 SIHP17N80AE-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihp17n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+183.43 грн
50+ 141.63 грн
100+ 116.53 грн
500+ 92.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP17N80AE-GE3 SIHP17N80AE-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp17n80ae.pdf MOSFET 800V N-CHANNEL
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+196.28 грн
10+ 160.46 грн
100+ 110.82 грн
250+ 110.16 грн
500+ 93.47 грн
1000+ 80.78 грн
2500+ 77.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP17N80AE-GE3 SIHP17N80AE-GE3 Виробник : Vishay sihp17n80ae.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній