SIHP186N60EF-GE3

SIHP186N60EF-GE3 Vishay Semiconductors


sihp186n60ef.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 764 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+245.35 грн
10+ 203.46 грн
25+ 129.52 грн
100+ 122.17 грн
250+ 120.17 грн
500+ 116.16 грн
1000+ 111.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP186N60EF-GE3 Vishay Semiconductors

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 43A; 156W; TO220AB, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 12A, Pulsed drain current: 43A, Power dissipation: 156W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 193mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 32nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SIHP186N60EF-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHP186N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihp186n60ef.pdf SIHP186N60EF-GE3
товар відсутній
SIHP186N60EF-GE3 Виробник : VISHAY sihp186n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 43A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 193mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHP186N60EF-GE3 SIHP186N60EF-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihp186n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB
товар відсутній
SIHP186N60EF-GE3 Виробник : VISHAY sihp186n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 43A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 193mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній