на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 76+ | 154.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP24N65E-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP24N65E-GE3 за ціною від 133.79 грн до 402.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIHP24N65E-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHP24N65E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.12 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm |
на замовлення 3544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHP24N65E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHP24N65E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SIHP24N65E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 122nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
SIHP24N65E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SIHP24N65E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 122nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |