Продукція > VISHAY > SIHP6N80AE-GE3
SIHP6N80AE-GE3

SIHP6N80AE-GE3 VISHAY

VISH-S-A0013953772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.826 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.826ohm
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+102.83 грн
10+ 76.75 грн
100+ 57.68 грн
500+ 45.25 грн
1000+ 33.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP6N80AE-GE3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP6N80AE-GE3 за ціною від 44.24 грн до 117.8 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHP6N80AE-GE3 SIHP6N80AE-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihp6n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.5 грн
50+ 83.46 грн
100+ 66.13 грн
500+ 52.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N80AE-GE3 SIHP6N80AE-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp6n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.8 грн
10+ 94.72 грн
100+ 64.23 грн
500+ 54.27 грн
1000+ 44.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N80AE-GE3 SIHP6N80AE-GE3 Виробник : Vishay sihp6n80ae.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5A Tube
товар відсутній