SIR165DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 44.05 грн |
| 6000+ | 40.4 грн |
| 9000+ | 38.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR165DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 60, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65.8, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.8, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIR165DP-T1-GE3 за ціною від 38.52 грн до 312 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR165DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR165DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V |
на замовлення 14962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR165DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 27989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR165DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 60 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.8 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3 euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 60 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4930 @ 15; Qg, нКл = 138 @ 10 В; Rds = 4,6 мОм; Ugs(th) = 2,3 В; Р, Вт = 69,4; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK® SO-8 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 7.5mΩ Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Drain-source voltage: -30V Drain current: -60A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 65.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 138nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -120A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 7.5mΩ Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Drain-source voltage: -30V Drain current: -60A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 65.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 138nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -120A |
товар відсутній |