SIR401DP-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 39
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
Qualifikation: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 52.83 грн |
| 500+ | 40.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR401DP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm.
Інші пропозиції SIR401DP-T1-GE3 за ціною від 24.59 грн до 64.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR401DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 11934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR401DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 10 V |
на замовлення 3926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR401DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm |
на замовлення 9135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR401DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 12808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
| SIR401DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIR401DP-T1-GE3 SMD P channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
SIR401DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 10 V |
товар відсутній |