SIRA01DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 33.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA01DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIRA01DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIRA01DP-T1-GE3 за ціною від 29.53 грн до 95.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRA01DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA01DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 13195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIRA01DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V |
на замовлення 7786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIRA01DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET -30V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 23434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIRA01DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA01DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 13195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIRA01DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SIRA01DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SIRA01DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIRA01DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.8A; 40W Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -20.8A On-state resistance: 8.2mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 40W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 112nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -20...16V Pulsed drain current: -150A Case: PowerPAK® SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIRA01DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.8A; 40W Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -20.8A On-state resistance: 8.2mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 40W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 112nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -20...16V Pulsed drain current: -150A Case: PowerPAK® SO8 |
товар відсутній |