Продукція > VISHAY SILICONIX > SIRS700DP-T1-GE3
SIRS700DP-T1-GE3

SIRS700DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sirs700dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta),132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+109.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRS700DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 127A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta),132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIRS700DP-T1-GE3 за ціною від 104.9 грн до 354.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIRS700DP-T1-GE3 SIRS700DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sirs700dp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+161.93 грн
10+ 148.89 грн
25+ 148.15 грн
50+ 142.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIRS700DP-T1-GE3 SIRS700DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sirs700dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta),132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 50 V
на замовлення 4359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+224.71 грн
10+ 181.52 грн
100+ 146.85 грн
500+ 122.51 грн
1000+ 104.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIRS700DP-T1-GE3 SIRS700DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sirs700dp.pdf MOSFET N-CH 100-V MSFT
на замовлення 9919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+354.27 грн
10+ 280.16 грн
25+ 236.02 грн
100+ 232.57 грн
SIRS700DP-T1-GE3 SIRS700DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sirs700dp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIRS700DP-T1-GE3 SIRS700DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sirs700dp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній