Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS447DN-T1-GE3
SIS447DN-T1-GE3

SIS447DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis447dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS447DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SIS447DN-T1-GE3 за ціною від 18.93 грн до 58.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIS447DN-T1-GE3 SIS447DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis447dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 11274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+38.87 грн
25+ 38.49 грн
50+ 34.73 грн
100+ 26.58 грн
250+ 25.33 грн
500+ 22.99 грн
1000+ 21.08 грн
3000+ 19.63 грн
Мінімальне замовлення: 15
SIS447DN-T1-GE3 SIS447DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis447dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 11274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
279+41.86 грн
281+ 41.45 грн
301+ 38.78 грн
364+ 30.91 грн
366+ 28.41 грн
500+ 24.76 грн
1000+ 22.7 грн
3000+ 21.14 грн
6000+ 21.08 грн
Мінімальне замовлення: 279
SIS447DN-T1-GE3 SIS447DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sis447dn.pdf MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 15810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.32 грн
10+ 46.83 грн
100+ 29.63 грн
500+ 25.44 грн
1000+ 22.39 грн
3000+ 19.79 грн
6000+ 18.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIS447DN-T1-GE3 SIS447DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis447dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.92 грн
10+ 49.54 грн
100+ 34.26 грн
500+ 26.87 грн
1000+ 22.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIS447DN-T1-GE3 SIS447DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis447dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товар відсутній
SIS447DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis447dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 181nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIS447DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis447dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 181nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній