на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 12.67 грн |
| 64+ | 9.02 грн |
| 72+ | 8.07 грн |
| 98+ | 5.68 грн |
| 114+ | 4.54 грн |
| 250+ | 3.92 грн |
| 500+ | 3.07 грн |
| 1000+ | 2.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS496EDNT-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SIS496EDNT-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS496EDNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
 MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S |
на замовлення 306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|
|
SIS496EDNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 1198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
SIS496EDNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товар відсутній |
|
 |
SIS496EDNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V |
товар відсутній |