SIS9446DN-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 0.0098 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0098ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 94.64 грн |
10+ | 81.22 грн |
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Технічний опис SIS9446DN-T1-GE3 VISHAY
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Інші пропозиції SIS9446DN-T1-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
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SIS9446DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 0.0098 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |