SIS9634LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 36.03 грн |
| 6000+ | 33.04 грн |
| 9000+ | 31.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS9634LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIS9634LDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.031 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung Pd: 17.9W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 17.9W, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SIS9634LDN-T1-GE3 за ціною від 34.59 грн до 109.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIS9634LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 11930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIS9634LDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS9634LDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.031 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung Pd: 17.9W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 17.9W Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIS9634LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIS9634LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
SIS9634LDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS9634LDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.031 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 17.9W Drain-Source-Spannung Vds: 60V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm Dauer-Drainstrom Id: 6A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 17.9W SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| SIS9634LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Vishay |
товар відсутній |