SMMBT5401LT1G ON Semiconductor
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMMBT5401LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - SMMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SMMBT5401LT1G за ціною від 3.05 грн до 32.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SMMBT5401LT1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SMMBT5401LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 28670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SMMBT5401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SMMBT5401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SMMBT5401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SMMBT5401LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 44810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SMMBT5401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SMMBT5401LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR SPCL TR |
на замовлення 38465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SMMBT5401LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 28670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| SMMBT5401LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMBT5401LT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
SMMBT5401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |