Продукція > ONSEMI > SMMUN2211LT3G
SMMUN2211LT3G

SMMUN2211LT3G onsemi


dtc114e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.86 грн
30000+ 1.66 грн
50000+ 1.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMMUN2211LT3G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SMMUN2211LT3G за ціною від 1.35 грн до 13.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SMMUN2211LT3G SMMUN2211LT3G Виробник : onsemi DTC114E_D-2311111.pdf Digital Transistors SS BR XSTR SPCL TR
на замовлення 49700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+12.41 грн
36+ 8.75 грн
100+ 4.85 грн
1000+ 2.15 грн
2500+ 1.88 грн
10000+ 1.41 грн
20000+ 1.35 грн
Мінімальне замовлення: 26
SMMUN2211LT3G SMMUN2211LT3G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+13.84 грн
31+ 9.12 грн
100+ 4.92 грн
500+ 3.63 грн
1000+ 2.52 грн
2000+ 2.09 грн
5000+ 1.94 грн
Мінімальне замовлення: 22
SMMUN2211LT3G SMMUN2211LT3G Виробник : ONSEMI dtc114e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
SMMUN2211LT3G SMMUN2211LT3G Виробник : ONSEMI dtc114e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній