SPA11N60C3XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPA11N60C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPA11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SPA11N60C3XKSA1 за ціною від 141.13 грн до 250.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPA11N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SPA11N60C3XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPA11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
SPA11N60C3XKSA1 Код товару: 200839 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||
 |
SPA11N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
SPA11N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
SPA11N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||
| SPA11N60C3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 33A Power dissipation: 33W Case: PG-TO220 FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 500 шт |
товар відсутній |
||||||||||
 |
SPA11N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_LEGACY |
товар відсутній |
|||||||||
| SPA11N60C3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 33A Power dissipation: 33W Case: PG-TO220 FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |