Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD06N60C3ATMA1
SPD06N60C3ATMA1

SPD06N60C3ATMA1 Infineon Technologies

infineon-spd06n60c3-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+52.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD06N60C3ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 260µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPD06N60C3ATMA1 за ціною від 58.2 грн до 149.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SPD06N60C3ATMA1 SPD06N60C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPD06N60C3_DataSheet_v02_02_EN-3363720.pdf MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+149.95 грн
10+ 123.3 грн
100+ 84.57 грн
250+ 78.58 грн
500+ 71.26 грн
1000+ 61.2 грн
2500+ 58.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD06N60C3ATMA1 Виробник : Infineon SPD06N60C3_rev+2+1.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1de2f997013c
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPD06N60C3ATMA1 SPD06N60C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies SPD06N60C3_rev+2+1.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1de2f997013c Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товар відсутній