Технічний опис SPP02N80C3 INFINEON
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SPP02N80C3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SPP02N80C3 | Виробник : INFINEON |
 09+ TSSOP24 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
SPP02N80C3 Код товару: 47201 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
|||
 |
SPP02N80C3 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|
 |
SPP02N80C3 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|
 |
SPP02N80C3 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 800V 2A TO220-3 CoolMOS C3 |
товар відсутній |