SPP04N60C3XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 302+ | 65.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP04N60C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPP04N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.5 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції SPP04N60C3XKSA1 за ціною від 61.71 грн до 129.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPP04N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPP04N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 600V 4.5A TO220-3 |
на замовлення 1057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPP04N60C3XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPP04N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.5 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPP04N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SPP04N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SPP04N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
товар відсутній |