SPP08N80C3 Infineon Technologies
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 177.47 грн |
| 10+ | 145.9 грн |
| 100+ | 100.97 грн |
| 250+ | 95.65 грн |
| 500+ | 81.04 грн |
| 1000+ | 72.4 грн |
| 2500+ | 68.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP08N80C3 Infineon Technologies
Description: SPP08N80 - 800V COOLMOS N-CHANNE, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SPP08N80C3 за ціною від 93.31 грн до 93.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPP08N80C3 | Виробник : Infineon |
 CoolMOS 8A 800V 104W 0.65Ω SPP08N80C3 TSPP08N80C3кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
SPP08N80C3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 104W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
 |
SPP08N80C3 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SPP08N80 - 800V COOLMOS N-CHANNE Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||
|
|
SPP08N80C3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 104W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |