SPP21N50C3XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 133.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP21N50C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPP21N50C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 560V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34.5W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMos, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.
Інші пропозиції SPP21N50C3XKSA1 за ціною від 128.04 грн до 406.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPP21N50C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
на замовлення 2469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SPP21N50C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 560V 21A TO220-3 |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SPP21N50C3XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPP21N50C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 560V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34.5W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMos productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm |
на замовлення 894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SPP21N50C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPP21N50C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPP21N50C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |