Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ2361ES-T1_BE3
SQ2361ES-T1_BE3

SQ2361ES-T1_BE3 Vishay Siliconix

sq2361es.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.25 грн
6000+ 13.91 грн
9000+ 12.88 грн
30000+ 11.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2361ES-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ2361ES-T1_BE3 за ціною від 13.42 грн до 43.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ2361ES-T1_BE3 SQ2361ES-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2361es.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 66542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.52 грн
10+ 33.49 грн
100+ 23.19 грн
500+ 18.18 грн
1000+ 15.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQ2361ES-T1_BE3 SQ2361ES-T1_BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq2361es.pdf MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 202495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.24 грн
10+ 37.2 грн
100+ 22.45 грн
500+ 18.73 грн
1000+ 16.01 грн
3000+ 14.15 грн
6000+ 13.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQ2361ES-T1_BE3 Виробник : Vishay sq2361es.pdf Transistor P-Channel MOSFET
товар відсутній