SQ4050EY-T1_GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ4050EY-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 19A; Idm: 75A; 6W, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 19A, On-state resistance: 15mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 6W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 51nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 75A, Case: SO8, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції SQ4050EY-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SQ4050EY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 19A; Idm: 75A; 6W Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 19A On-state resistance: 15mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 6W Polarisation: unipolar Gate charge: 51nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 75A Case: SO8 кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||
| SQ4050EY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 19A; Idm: 75A; 6W Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 19A On-state resistance: 15mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 6W Polarisation: unipolar Gate charge: 51nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 75A Case: SO8 |
товар відсутній |