Продукція > VISHAY SILICONIX > SQD40131EL_GE3
SQD40131EL_GE3

SQD40131EL_GE3 Vishay Siliconix

sqd40131el.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD40131EL_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQD40131EL_GE3 за ціною від 31.29 грн до 93.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQD40131EL_GE3 SQD40131EL_GE3 Виробник : Vishay sqd40131el.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000
SQD40131EL_GE3 SQD40131EL_GE3 Виробник : VISHAY sqd40131el.pdf Description: VISHAY - SQD40131EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
на замовлення 11938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+65.72 грн
500+ 51.76 грн
1000+ 41.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQD40131EL_GE3 SQD40131EL_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd40131el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.66 грн
10+ 68.78 грн
100+ 53.51 грн
500+ 42.56 грн
1000+ 34.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQD40131EL_GE3 SQD40131EL_GE3 Виробник : VISHAY sqd40131el.pdf Description: VISHAY - SQD40131EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
на замовлення 11938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+90.91 грн
50+ 78.24 грн
100+ 65.72 грн
500+ 51.76 грн
1000+ 41.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQD40131EL_GE3 SQD40131EL_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqd40131el.pdf MOSFET -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 71834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.77 грн
10+ 72.49 грн
100+ 51.02 грн
500+ 43.24 грн
1000+ 35.27 грн
2000+ 31.95 грн
4000+ 31.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQD40131EL_GE3 Виробник : Vishay sqd40131el.pdf
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)