Продукція > VISHAY SILICONIX > SQD40N06-14L_GE3
SQD40N06-14L_GE3

SQD40N06-14L_GE3 Vishay Siliconix

sqd40n06-14l.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+48.98 грн
6000+ 45.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD40N06-14L_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SQD40N06-14L_GE3 за ціною від 45.57 грн до 118.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQD40N06-14L_GE3 SQD40N06-14L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd40n06-14l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V
на замовлення 6092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.5 грн
10+ 86.91 грн
100+ 69.15 грн
500+ 54.91 грн
1000+ 46.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQD40N06-14L_GE3 SQD40N06-14L_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqd40n06-14l.pdf MOSFET 55V 40A 75W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 54612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.57 грн
10+ 96.25 грн
100+ 67.09 грн
250+ 63.64 грн
500+ 56.06 грн
1000+ 48.03 грн
2000+ 45.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQD40N06-14L_GE3 SQD40N06-14L_GE3 Виробник : Vishay sqd40n06-14l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive
товар відсутній
SQD40N06-14L-GE3 SQD40N06-14L-GE3 Виробник : Vishay sqd40n06-14l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive
товар відсутній
SQD40N06-14L-GE3 SQD40N06-14L-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd40n06-14l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-252
товар відсутній
SQD40N06-14L-GE3 SQD40N06-14L-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqd40n06-14l.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT SQD40N06-14L_GE3
товар відсутній