SQJ968EP-T1_GE3

SQJ968EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix


sqj968ep.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 32330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.41 грн
10+ 61.42 грн
100+ 41.52 грн
500+ 35.21 грн
1000+ 28.7 грн
3000+ 26.9 грн
6000+ 26.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ968EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQJ968EP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 18, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028, Verlustleistung Pd: 25, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, Verlustleistung, p-Kanal: 25, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 25, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SQJ968EP-T1_GE3 за ціною від 32.71 грн до 79.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ968EP-T1_GE3 SQJ968EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj968ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 42W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 714pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.76 грн
10+ 68.57 грн
100+ 53.45 грн
500+ 41.43 грн
1000+ 32.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ968EP-T1_GE3 SQJ968EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj968ep.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 23.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SQJ968EP-T1-GE3 SQJ968EP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2049390.pdf Description: VISHAY - SQJ968EP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 18
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028
Verlustleistung Pd: 25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung, p-Kanal: 25
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
товар відсутній
SQJ968EP-T1_GE3 SQJ968EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj968ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 42W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 714pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
товар відсутній